Керамика на основе карбида кремния (SiC) обеспечивает исключительную теплопроводность, твердость и устойчивость к окислению, позволяя эффективное рассеивание тепла и долговечную производительность в суровых промышленных и электронных приложениях.
Шар для шлифования из карбида кремния
Подшипниковый шар из карбида кремния
Структурная керамика из карбида кремния
Износостойкая керамика из карбида кремния
We look forward to answering any questions or sharing additional information about our silicon carbide ceramic offerings and support services. Whether you’re exploring custom prototypes or scaling production for extreme industrial applications, our team is ready to guide you through the capabilities of this exceptional material.
We customize every aspect to meet your precise requirements, from purity grades to dimensional tolerances. Below are examples from our previous projects, showcasing high-precision abrasives, refractory liners, semiconductor substrates, and grinding balls for mineral processing. Ready to design your custom parts? Contact us today—our engineers can collaborate on CAD models and rapid prototyping to accelerate your schedule.
The history of silicon carbide (SiC) ceramics begins in 1893, when American chemist Edward Goodrich Aitchson accidentally discovered it while attempting to synthesize diamonds by heating a mixture of sand and carbon to produce «carborandum»—the first commercial abrasive. Initially prized for its Mohs hardness of 9.5, SiC quickly revolutionized grinding and polishing by the early 1900s, surpassing natural abrasives like corundum. The 1920s marked its entry into refractories, with the Aitchson process, which enabled the mass production of furnace linings amid the steel boom.
After World War II, SiC’s potential as a semiconductor became apparent in the 1950s, with early diodes exploiting its wide bandgap (3.26 eV) for high-power electronics—pioneered by General Electric. The energy crisis of the 1970s accelerated its use in thermal engines, while advances in chemical vapor deposition (CVD) in the 1980s opened up pure crystals for LEDs and power devices. Biomedical applications grew in the 1990s for biocompatible coatings. Today, global production exceeds 1.5 million tons annually, fueled by electric vehicles (SiC MOSFETs), renewable energy (solar panel inverters), and 5G—evolving from an abrasive standard to a $5 billion powerhouse in harsh, high-performance applications.
Its polytypic structures—more than 200 α/β forms—have enabled bandgap tuning, from blue LEDs (Nobel Prize 1990) to 1200-volt electric vehicles, reflecting SiC’s shift from sand to «silicon’s rival.» The recent surge in demand for mineral/cement grinding media underscores its enduring abrasive heritage.
Silicon carbide (SiC) ceramics, a covalent compound of silicon and carbon, are a leading class of non-oxide materials renowned for their unmatched hardness, thermal/electrical conductivity, and resistance to oxidation, corrosion, and thermal shock up to 1600°C. With a density of ~3.2 g/cm³ (60% of steel) but a flexural strength of 400 MPa and an HV of 2100, SiC excels in abrasive, high-thermal, or electrochemical environments where metals degrade. Its hexagonal (α) or cubic (β) polygons allow for tuned band gaps (2.4–3.3 eV), ideal for semiconductors; the self-lubricating microstructure yields friction coefficients <0.2.
Its performance is based on strong Si-C bonds, providing a CTE of 3.5 x 10⁻⁶ K⁻¹ for composites without mismatches and a conductivity of 90–490 W/m K for radiators. Inert to acids and alkalis (except HF), it is indispensable for chemical pumps or armor. More expensive than aluminum oxide ($20–50/kg vs. $5–20), SiC’s 10–20 times the service life and efficiency gains (e.g., +30% range for electric vehicles) justify the premium, with processability aiding sustainability.
The black and green hues of SiC, free from impurities, offer aesthetic and functional versatility; it is non-toxic and FDA-compliant for medical and food contact. From Aitchson sand to Wolfspeed plates, SiC bridges the mechanical and electronic worlds, with grinding balls exemplifying its abrasive power in mineral processing.
Silicon carbide ceramics are available in formulations tailored by synthesis and dopants for conductivity, purity, or transparency. Key differences include Black SiC, Green SiC, Reaction-Bonded SiC (RBSC), Sintered SiC (SSC), and CVD SiC. Each optimizes the phase (α/β) for its application. Breakdown:
Overview : Manufactured in an Eichson furnace at 2200-2500°C from petroleum coke/silica, 97-99% SiC with iron impurities.
Improvements : Economical ($10–20/kg), high viscosity (K_IC 4) for bulk abrasives; suitable for grinding balls in heavy mills.
Applications : Grinding wheels, refractories, wear tiles in mining/cement and SiC grinding balls for efficient ore grinding.
| Свойство | Ед. изм. | Стандарт испытаний | Черный SiC | Зеленый SiC | RBSC | SSC | CVD SiC |
| Материал | — | — | Черный | Зеленый | Пористый | Плотный | Пленка |
| Плотность | г/см³ | ISO 18754 | 3,15 | 3,20 | 2,7 | 3,10 | 3,21 |
| Изгибающая прочность | МПа | ASTM C1161 | 400 | 450 | 250 | 400 | 500 |
| Компрессионная прочность | МПа | GB/T 8489 | 2000 | 2200 | 1500 | 2000 | 2500 |
| Модуль Юнга | ГПа | ASTM C1198 | 430 | 450 | 300 | 410 | 460 |
| Вязкость к разрушению | МПа·м¹/² | ASTM C1421 | 4 | 4,5 | 3 | 4 | 5 |
| Коэффициент Пуассона | — | ASTM C1421 | 0,16 | 0,16 | 0,17 | 0,16 | 0,15 |
| Твердость HRA | HRA | Rockwell 60N | 94 | 95 | 92 | 94 | 96 |
| Твердость по Виккерсу | HV1 | ASTM C1327 | 2100 | 2200 | 1800 | 2100 | 2500 |
| Термическое расширение | 10⁻⁶ К⁻¹ | ASTM E1461 | 3,5 | 3,4 | 3,6 | 3,5 | 3,3 |
| Теплопроводность | Вт/м·К | ASTM E1461 | 90 | 120 | 50 | 90 | 490 |
| Устойчивость к термическому удару | ΔT (°C) | — | 600 | 650 | 500 | 600 | 700 |
| Макс. темп. (окисление) | °C | Без нагрузки | 1350 | 1400 | 1200 | 1350 | 1600 |
| Макс. темп. (восстановление/инерт) | °C | Без нагрузки | 1350 | 1400 | 1400 | 1600 | 2000 |
| Объемное сопротивление (20°C) | Ом·см | — | 10⁵ | 10⁴ | 10⁶ | 10⁵ | 10³ |
| Диэлектрическая прочность | кВ/мм | — | 0 | 0 | 5 | 0 | 0 |
| Диэлектрическая постоянная (1 МГц) | — | ASTM D2149 | N/A | N/A | 10 | N/A | N/A |
| Диэлектрические потери (20°C, 1 МГц) | tan δ | ASTM D2149 | N/A | N/A | 10⁻² | N/A | N/A |
Примечание: Значения для спеченных марок; CVD превышает (проводимость 490 Вт/м·К, чистота 99,9995%).
Сравнительный анализ для прецизионной инженерии
SiC преуспевает в проводимости/твердости, превосходя оксиды в полупроводниках/теплоте. Расширенное сравнение с металлами/керамикой:
| Характеристика | Керамика SiC | Керамика оксида алюминия | Стальные сплавы | Карбид вольфрама |
| Прочность и вязкость | Высокая (K_IC 4) | Компрессионно-сильная, хрупкая | Дуктильная, склонная к усталости | Высокая, хрупкая |
| Термическая стабильность | Превосходная (1600°C) | Отличная (1800°C) | Хорошая (~800°C) | Огнеупорная (2800°C) |
| Устойчивость к износу | Исключительная (HV 2100) | Высший уровень (HV 1500) | Умеренная (ржавеет) | Элитная (HV 2000) |
| Коррозионная стойкость | Высокоинертная | Отличная (кислоты) | Склонная | Сильная (кислоты) |
| Прозрачность | Непрозрачная (полупрозрачная CVD) | Полупрозрачная | Непрозрачная | Непрозрачная |
| Биосовместимость | Высокая (ISO 10993) | Высокая | Варьируется (токсичная) | Варьируется |
| Электрическая изоляция | Полупроводящая (10⁴–10⁵ Ом·см) | Превосходная | Проводящая | Проводящая |
| Магнитное поведение | Немагнитная | Немагнитная | Ферромагнитная | Немагнитная |
| Стоимость (за кг) | Умеренная ($20–50) | Низкая ($5–20) | Низкая ($1–5) | Высокая ($100+) |
| Плотность (г/см³) | 3,2 | 3,9 | 7,8 | 15,6 |
Атрибуты SiC дают преимущества на жизненном цикле:
SiC сияет в абразивных/электронных экстремумах, его твердость/проводимость незаменимы. Ниже расширенные топ-10:
Сочетание характеристик SiC закрепляет его роль в высоких технологиях, рынок оценивается в $10 млрд к 2030 году.
Стандартный SiC непрозрачно черный/зеленый, однако CVD и допированные (N/B) варианты дают полупрозрачность в ИК.
Компоненты SiC формируются через порошковые и паровые способы для плотности >99%. Ниже рабочий поток:
Смесь SiO₂/углерода или CVD-прекурсоры (SiH₄/C₃H₈). Для шлифовальных шаров — порошок <10 мкм.
Аттритор до 1–5 мкм; добавляются связующие и допанты.
Удаление органики до 800°C.
2000–2200°C, Ar; HP/RBSC; HIP для высокой плотности.
Алмазная шлифовка до Ra 0,01 мкм; сортировка шаров >99% сферичности.
Рентген, ASTM изгиб, CMM.
Упаковка с сертификатами, масштабируемо до миллионов изделий в год.
Выход: 95%, ISO 9001.
Траектория SiC: Более широкая запрещенная зона, greener.
Пластины 200 мм для ЭВ, эффективность +40%; нано-SiC шлифование для субмикронной ПСР.
3D-печатные сопла/шары, отходы -50%.
HA для имплантов, интеграция +20%.
Бездефектные для кубитов.
Переработка SiC, CO₂ -25%; биоугля для Эйчсона.
CAGR 15% до $10 млрд к 2030 году, ЭВ/возобновляемые; шлифовальные среды $2 млрд сегмент.